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27C512A-12E/TS

更新时间: 2024-01-08 06:42:17
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 69K
描述
64K X 8 OTPROM, 120 ns, PDSO28, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28

27C512A-12E/TS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.64最长访问时间:120 ns
其他特性:DATA RETENTION >200 YEARSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP28/32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00003 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.035 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

27C512A-12E/TS 数据手册

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27C512A  
FIGURE 1-2: PROGRAMMING WAVEFORMS (1)  
Program  
Verify  
VIH  
Address Stable  
Address VIL  
tAH  
tAS  
VIH  
Data In Stable  
Data Out Valid  
Data VIL  
tDF  
(2)  
tDH  
tDS  
6.5 V (3)  
VCC 5.0V  
VIH  
tCE  
(2)  
tVCS  
tOES  
tPW  
CE VIL  
tCES  
tOEH  
tOR  
13.0 V (3)  
OE/VPP  
tOPW  
VIL  
tPRT  
Notes: (1) The input timing reference level is 0.8V for VIL and 2.0V for VIH.  
(2) tDF and tOE are characteristics of the device but must be accommodated by the programmer.  
(3) VCC = 6.5V ±0.25V, VPP = VH = 13.0V ±0.5V for express programming algorithm.  
TABLE 1-6:  
MODES  
Operation Mode  
CE  
OE/VPP  
A9  
O0 - O7  
Read  
VIL  
VIL  
VIL  
VIH  
VIH  
VIL  
VIL  
VIL  
VH  
VIL  
VH  
X
X
X
DOUT  
DIN  
Program  
Program Verify  
Program Inhibit  
Standby  
X
DOUT  
X
High Z  
X
High Z  
Output Disable  
Identity  
VIH  
VIL  
X
High Z  
VH  
Identity Code  
X = Don’t Care  
For Read operations, if the addresses are stable, the  
address access time (tACC) is equal to the delay from  
CE to output (tCE). Data is transferred to the output  
after a delay (tOE) from the falling edge of OE/VPP.  
1.2  
Read Mode  
(See Timing Diagrams and AC Characteristics)  
Read Mode is accessed when  
a) the CE pin is low to power up (enable) the chip  
b) the OE/VPP pin is low to gate the data to the  
output pins  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11173E-page 5  

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