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26MB40APBF

更新时间： 2024-01-19 09:30:18

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威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	74K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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26MB40APBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-XUFM-D4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.5
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-XUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：	420 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子面层：	NICKEL	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

26MB40APBF 数据手册

MB Series

Bulletin I2715 rev. K 09/06

ELECTRICALSPECIFICATIONS

Voltage Ratings

Voltage

Code

V_RRM, maximum repetitive

V_RSM, maximum non-

I _RRMmax.

@ T_Jmax.

Type number

peak reverse voltage

repetitive peak rev. voltage

200

400

275

500

26MB..A

36MB..A

600

725

800

900

100

120

1000

1200

1100

1300

Forward Conduction

Parameters

26MB-A

36MB-A Units Conditions

I_O

MaximumDCoutputcurrent

Resistive or inductive load

Capacitive load

@Casetemperature

°C

I_FSM

Maximumpeak, one-cycle

non-repetitive forward current

400

420

335

350

790

475

500

400

420

1130

t=10ms No voltage

t=8.3ms reapplied

t=10ms 100% V_RRM

t=8.3ms reapplied

InitialT_J=T_Jmax.

I²t

MaximumI²tforfusing

A²s t=10ms No voltage

725

560

512

5.6

1030

800

t=8.3ms reapplied

t=10ms 100% V_RRM

t=8.3ms reapplied

730

I²√t

MaximumI²√tforfusing

11.3

KA²√s I²tfortimet_x=I²√tx√t_x;

0.1≤ t_x≤10ms,V_RRM=0V

V_F(TO)1Low-level of threshold voltage

V_F(TO)2High-level of threshold voltage

0.76

0.92

6.8

0.79

0.96

5.8

(16.7%xπxI_F(AV)<I<πxI_F(AV)),@T_Jmax.

(I>π xI_F(AV)),@T_Jmax.

r_t1

Low-levelforwardsloperesistance

High-levelforwardsloperesistance

Maximumforwardvoltagedrop

mΩ (16.7%xπxI_F(AV)<I<πxI_F(AV)),@T_Jmax.

(I>π xI_F(AV)),@T_Jmax.

r_t2

5.0

4.5

V_FM

1.11

1.14

T_J=25^oC, I_FM=40A_PK(26MB)

T_J=25^oC, I_FM=55A_PK(36MB)

T_J=25^oC, perdiodeatV_RRM

f=50Hz,t=1s

tp=400μs

I_RRM

V_INS

Max.DCreversecurrent

μA

RMSisolationvoltagebaseplate

2700

www.irf.com

123 4 5 6

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