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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> 26MB160APBF
26MB160APBF PDF预览

26MB160APBF

更新时间： 2024-01-09 02:54:34
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 电源电路
页数 文件大小 规格书
6页 49K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-4

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26MB160APBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MODULE
包装说明：R-PUFM-D4针数：4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.51其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.11 VJESD-30 代码：R-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：420 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1600 V最大反向电流：0.00001 µA
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

26MB160APBF 数据手册

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MB High Voltage Series  
Bulletin I27177 03/03  
ELECTRICALSPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VRRM , maximum repetitive  
VRSM , maximum non-  
I RRM max.  
Type number  
peak reverse voltage  
V
repetitive peak rev. voltage  
V
@ TJ max.  
mA  
26MB..A  
36MB..A  
140  
160  
1400  
1600  
1500  
1700  
2
Forward Conduction  
Parameters  
26MB-A  
36MB-A Units Conditions  
IO  
MaximumDCoutputcurrent  
25  
20  
35  
28  
A
A
Resistive or inductive load  
Capacitive load  
@Casetemperature  
65  
60  
°C  
A
IFSM  
Maximumpeak, one-cycle  
non-repetitive forward current  
400  
420  
335  
350  
790  
475  
500  
400  
420  
1130  
t=10ms Novoltage  
t=8.3ms reapplied  
t=10ms 100% VRRM  
t=8.3ms reapplied  
InitialTJ =TJ max.  
I2t  
MaximumI2tforfusing  
A2s t=10ms Novoltage  
725  
560  
512  
5.6  
1030  
800  
t=8.3ms reapplied  
t=10ms 100% VRRM  
t=8.3ms reapplied  
730  
I2√t  
MaximumI2√tforfusing  
11.3  
KA2√s I2tfortimetx =I2√tx√tx ;  
0.1≤ tx ≤10ms,VRRM=0V  
VF(TO)1 Low-level of threshold voltage  
VF(TO)2 High-level of threshold voltage  
0.70  
0.74  
0.79  
5.5  
V
(16.7%xπ xIF(AV) <I<π xIF(AV)),@TJmax.  
(I>π xIF(AV)),@TJmax.  
0.75  
7.0  
rt1  
Low-levelforwardsloperesistance  
High-levelforwardsloperesistance  
Maximumforwardvoltagedrop  
m Ω (16.7%xπ xIF(AV) <I<π xIF(AV)),@TJmax.  
(I>π xIF(AV)),@TJmax.  
rt2  
6.4  
5.2  
VFM  
1.25  
1.3  
V
TJ =25oC, IFM =40APK(26MB)  
TJ =25oC, IFM =55APK(36MB)  
TJ =25oC, perdiodeatVRRM  
f=50Hz,t=1s  
tp=400µs  
IRRM  
VINS  
Max.DCreversecurrent  
10  
10  
µA  
RMSisolationvoltagebaseplate  
2700  
2700  
V
Thermal and Mechanical Specifications  
Parameters  
26MB-A 36MB-A Units Conditions  
TJ  
Junction temperature range  
-55to150 oC  
-55to150 oC  
Tstg Storage temperature range  
RthJC Max. thermalresistancejunctiontocase  
RthCS Max. thermalresistance, casetoheatsink  
1.7  
1.35  
K/W Per bridge  
0.2  
20  
K/W Mountingsurface,smooth,flatandgreased  
wt  
T
Approximateweight  
g
MountingTorque±10%  
2.0  
Nm Bridgetoheatsink  
www.irf.com  
2
123456

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