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24C65-E/PG

更新时间： 2024-01-04 04:37:16

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	343K
描述
8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

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24C65-E/PG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.41
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.27 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.334 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms

24C65-E/PG 数据手册

24AA65/24LC65/24C65

Block Diagram

Pin Function Table

A0 A1 A2

Name

Function

HV Generator

A0, A1, A2

VSS

User Configurable Chip Selects

Ground

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

EEPROM

Array

SDA

Serial Address/Data/I/O

Serial Clock

XDEC

SCL

Page Latches

VCC

+1.8V to 6.0V Power Supply

No Internal Connection

I/O

SCL

Cache

YDEC

SDA

VCC

VSS

Sense Amp.

R/W Control

DS21073K-page 2

123 4 5 6 7...24

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