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1SS118RG

更新时间: 2024-01-16 21:09:35
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日立 - HITACHI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
5页 20K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

1SS118RG 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.52
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.003 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS118RG 数据手册

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1SS118  
10–1  
10–2  
10–3  
10–4  
0.6  
Forward voltage VF (V)  
0
0.2  
0.4  
0.8  
1.0 1.2  
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage  
10–4  
Ta = 125°C  
10–5  
Ta = 75°C  
10–6  
10–7  
30  
Reverse voltage VR (V)  
0
10  
20  
40  
50  
Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage  

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