1SS118RE

更新时间： 2024-02-01 05:18:46

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日立 - HITACHI		整流二极管开关
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5页	20K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35

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1SS118RE 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.52
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	4 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.003 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1SS118RE 数据手册

1SS118

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

V_RM

V_R

I_FM

I_FSM

I_O

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Power dissipation

600

200

°C

500

Junction temperature

Storage temperature

Note: Value at duration of 1µs

175

Tstg

–65 to +175

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

Unit

Test Condition

I_F= 10mA

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

V_F

I_R

—

1.0

0.1

3.5

3.0

—

µA

V_R= 50V

—

V_R= 0V, f = 1MHz

Reverse recovery time t_rr

—

I_F= 10mA, V_R= 6V, Irr = 0.1I_R,

R_L= 50Ω

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