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1SS110TE

更新时间: 2024-02-02 15:01:57
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日立 - HITACHI 二极管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 20K
描述
Mixer Diode, Silicon, DO-34, DO-34, 2 PIN

1SS110TE 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.27
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:35 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:1.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:60 °C最低工作温度:-20 °C
最大输出电流:100 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:NO
技术:PLANAR DOPED BARRIER端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1SS110TE 数据手册

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1SS110  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Value  
35  
Unit  
V
Reverse voltage  
Forward current  
Junction temperature  
Storage temperature  
VR  
IF  
100  
mA  
°C  
Tj  
175  
Tstg  
–65 to +175  
°C  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Test Condition  
IF = 10mA  
Forward voltage  
Reverse voltage  
Reverse current  
Capacitance  
VF  
VR  
IR  
C
35  
1.0  
V
IR = 10µA  
0.1  
1.2  
0.9  
µA  
pF  
VR = 25V  
VR = 6V, f = 1MHz  
Forward resistance  
rf  
IF = 2mA, f = 100MHz  

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