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1S50-B

更新时间： 2024-02-13 02:22:16
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN

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1S50-B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.17其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1S50-B 数据手册

 浏览型号1S50-B的Datasheet PDF文件第2页 
1S20  
THRU  
1S100  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 20 to 100 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Low switching noise  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High switching capability  
* High surge capabitity  
* High reliability  
R-1  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
(
)
.025 0.65  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
DIA.  
(
)
.021 0.55  
(
)
.787 20.0  
MIN.  
* Weight: 0.12 gram  
(
)
.126 3.2  
(
)
.106 2.7  
(
)
.102 2.6  
DIA.  
(
)
.091 2.3  
(
)
.787 20.0  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
1S20  
20  
1S30  
30  
1S40  
40  
1S50  
50  
1S60  
60  
1S80  
80  
1S100 UNITS  
V
V
RRM  
RMS  
100  
70  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
14  
21  
28  
35  
42  
56  
V
DC  
O
20  
30  
40  
50  
60  
80  
100  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
.375” (9.5mm) lead length  
I
1.0  
20  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Amps  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Rθ JA  
50  
110  
0C/W  
pF  
0 C  
CJ  
J
-55 to + 150  
T
Storage Temperature Range  
T
STG  
-55 to + 150  
0 C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
1S20  
1S30  
.55  
1S40  
1S50  
.70  
1S60  
1S80  
1S100 UNITS  
.85 Volts  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
V
F
Maximum Average Reverse Current  
@T  
A
A
= 25oC  
= 100oC  
1.0  
10  
mAmps  
mAmps  
I
R
at Rated DC Blocking Voltage  
@T  
NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient): Vertical PC Board Mounting, 0.5” (12.7mm) Lead Length.  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
2003-1  
12

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