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1S2076ARG

更新时间: 2024-01-25 07:13:03
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日立 - HITACHI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 30K
描述
Mixer Diode, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN

1S2076ARG 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.21
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:3 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:PLANAR DOPED BARRIER端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1S2076ARG 数据手册

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1S2076  
10–1  
10–2  
10–3  
10–4  
0.6  
Forward voltage VF (V)  
0
0.2  
0.4  
0.8  
1.0 1.2  
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage  
10–4  
Ta = 125°C  
10–5  
Ta = 75°C  
10–6  
10–7  
Ta = 25°C  
10–8  
10–9  
30  
Reverse voltage VR (V)  
0
10  
20  
40  
50  
Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage  
3

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