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1N5359B

更新时间： 2024-02-04 00:08:40

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鲁光 - LGE		测试二极管
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1N5359B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AE
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.18
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	3.5 Ω	JEDEC-95代码：	DO-201AE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	24 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	50 mA	Base Number Matches：	1

1N5359B 数据手册

1N5333B-1N5388B

Zener Diode

POWER DISSIPATION: 5.0 W

DO-15

Features

Silicon planar power zener diodes

For use in stabilizing and clipping curcuits with high

power rating.

Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add

suffix"B" for ±5% tolerance. other zener voltage

and tolerances are available upon request.

Mechanical Data

Case:DO-15

Dimensions in inches and (millimeters)

Polarity: cathode Band

Marking: type number

Approx. weight: 0.40grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.

SYMBOL

VALUE

UNIT

Zener current (see Table "Characteristics")

DC pow er dissipation @ T_L=75, measure at zero lead length (Fig.1)

derate above 75 (NOTE1)

5.0

40.0

P_D

Peak forw ard surge current 8.3ms single half sine-w ave superimposed on rated

I_FSM

see fig.5

-55---+150

load (JEDEC Method)(NOTE1,2)

Junction temperature

T_J

T_s

Storage temperature range

NOTES: (1) Mounted on 8.0mm²copper pads to each terminal.

(2) 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum.

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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