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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N5242BAMO
1N5242BAMO PDF预览

1N5242BAMO

更新时间： 2024-01-08 19:01:33
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
7页 39K
描述
DIODE 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

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1N5242BAMO 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-213AA包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.62外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：12 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：20%
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

1N5242BAMO 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Voltage regulator diodes  
1N5225B to 1N5267B  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• Total power dissipation:  
max. 500 mW  
Low-power voltage regulator diodes in hermetically sealed leaded glass  
SOD27 (DO-35) packages.  
• Tolerance series: ±5%  
The series consists of 43 types with nominal working voltages from 3.0 to 75 V.  
• Working voltage range:  
nom. 3.0 to 75 V  
• Non-repetitive peak reverse power  
dissipation: max. 40 W.  
handbook, halfpage  
k
a
MAM239  
APPLICATIONS  
• Low-power voltage stabilizers or  
voltage references.  
The diodes are type branded.  
Fig.1 Simplified outline (SOD27; DO-35) and symbol.  
LIMITING VALUES  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
mA  
IF  
continuous forward current  
non-repetitive peak reverse current  
−
250  
IZSM  
tp = 100 µs; square wave;  
Tj = 25 °C prior to surge  
see Table  
“Per type”  
Ptot  
total power dissipation  
Tamb = 50 °C; lead length max.;  
−
400  
mW  
note 1  
Lead length 8 mm; note 2  
−
−
500  
40  
mW  
W
PZSM  
non-repetitive peak reverse power  
dissipation  
tp = 100 µs; square wave;  
Tj = 25 °C prior to surge; see Fig.3  
tp = 8.3 ms; square wave;  
−
10  
W
Tj ≤ 55 °C prior to surge  
Tstg  
Tj  
storage temperature  
junction temperature  
−65  
−65  
+200  
+200  
°C  
°C  
Notes  
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.  
2. Tie-point temperature ≤ 75 °C.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Table 1  
Tj = 25 °C; unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
forward voltage  
CONDITIONS  
IF = 200 mA; see Fig.4  
MAX.  
UNIT  
VF  
1.1  
V
1996 Apr 26  
2
1234567

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