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1N5242B-AP

更新时间： 2024-01-27 04:33:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 471K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

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1N5242B-AP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.05
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：12 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：20 mA
Base Number Matches：1

1N5242B-AP 数据手册

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M C C  
Micro Commercial Components  
1N5221 thru 1N5267  
TM  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25°C  
MCC  
PART  
NOMINAL ZENER  
VOLTAGE VZ @ IZT  
TEST  
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE  
‘B’ SUFFIX ONLY  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
MAX. ZENER VOLTAGE  
TEMP COEFFICIENT ‘B’  
SUFFIX ONLY  
CURRENT IZT  
NUMBER  
ZZT @ IZT  
OHMS  
ZZK @IZK = 0.25mA  
OHMS  
IR  
µA  
100  
@
VR  
VOLTS  
mA  
VOLTS  
% / °C  
1N5221  
2.4  
2.5  
2.7  
2.8  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.0  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
8.7  
9.1  
10  
20  
20  
30  
30  
1200  
1250  
1300  
1400  
1600  
1600  
1700  
1900  
2000  
1900  
1600  
1600  
1600  
1000  
750  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
3.0  
3.5  
4.0  
5.0  
6.0  
6.5  
6.5  
7.0  
8.0  
8.4  
9.1  
9.9  
10  
-0.085  
-0.085  
-0.080  
-0.080  
-0.075  
-0.070  
-0.065  
-0.060  
0.055  
1N5222  
1N5223  
1N5224  
1N5225  
1N5226  
1N5227  
1N5228  
1N5229  
1N5230  
1N5231  
1N5232  
1N5233  
1N5234  
1N5235  
1N5236  
1N5237  
1N5238  
1N5239  
1N5240  
1N5241  
1N5242  
1N5243  
1N5244  
1N5245  
1N5246  
1N5247  
1N5248  
1N5249  
1N5250  
1N5251  
1N5252  
1N5253  
1N5254  
1N5255  
1N5256  
1N5257  
1N5258  
1N5259  
1N5260  
1N5261  
1N5262  
1N5263  
1N5264  
1N5265  
1N5266  
1N5267  
100  
75  
20  
30  
20  
30  
75  
20  
29  
50  
20  
28  
25  
20  
24  
15  
20  
23  
10  
20  
22  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.5  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
20  
19  
0.030  
20  
17  
0.030  
20  
11  
+0.038  
+0.038  
+0.045  
+0.050  
+0.058  
+0.062  
+0.065  
+0.068  
+0.075  
+0.076  
+0.077  
+0.079  
+0.082  
+0.082  
+0.083  
+0.084  
+0.085  
+0.086  
+0.086  
+0.087  
+0.088  
+0.089  
+0.090  
+0.091  
+0.091  
+0.092  
+0.093  
+0.094  
+0.095  
+0.095  
+0.096  
+0.096  
+0.097  
+0.097  
+0.097  
+0.098  
20  
7.0  
7.0  
5.0  
6.0  
8.0  
8.0  
10  
20  
20  
20  
500  
20  
500  
20  
600  
20  
600  
20  
17  
600  
11  
20  
22  
600  
12  
20  
30  
600  
13  
9.5  
9.0  
8.5  
7.8  
7.4  
7.0  
6.6  
6.2  
5.6  
5.2  
5.0  
4.6  
4.5  
4.2  
3.8  
3.4  
3.2  
3.0  
2.7  
2.5  
2.2  
2.1  
2.0  
1.8  
1.7  
13  
600  
14  
15  
600  
15  
16  
600  
11  
16  
17  
600  
12  
17  
19  
600  
13  
18  
21  
600  
14  
19  
23  
600  
14  
20  
25  
600  
15  
22  
29  
600  
17  
24  
33  
600  
18  
25  
35  
600  
19  
27  
41  
600  
21  
28  
44  
600  
21  
30  
49  
600  
23  
33  
58  
700  
25  
36  
70  
700  
27  
39  
80  
800  
30  
43  
93  
900  
33  
47  
105  
125  
150  
170  
185  
230  
270  
1000  
1100  
1300  
1400  
1400  
1600  
1700  
36  
51  
39  
56  
43  
60  
46  
62  
47  
68  
52  
75  
56  
NOTE1: Table as shown lists type numbers, which indicate a tolerance of 20% with guaranteed limits on only Vz, IR, and VF. Devices with  
guaranteed limits on all six parameters are indicated by suffix “A” for 10%, “B” for 5%, “C” for 2% tolerance  
NOTE2: The electrical characteristics are measured after allowing the device to stabilize for 20 seconds.  
NOTE3: Temperature coefficient (áVZ). Test conditions for temperature coefficient are as follows:  
a.  
b.  
IZT = 7.5mA, T = 25oC T2 = 125oC (1N5221 thru 1N5242)  
I
IZT = Rated IZT, T = 25oC, T2 = 125oC (1N5243 thru 1N5267)  
I
Device to be temperature stabilized with current applied prior to reading breakdown voltage at the specified ambient temperature.  
www.mccsemi.com  
2 of 5  
Revision: A  
2011/01/01  
12345

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