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1N5230BTR

更新时间： 2024-01-27 17:27:14
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
Zener 0.5W

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1N5230BTR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：O-LALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：0.63外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：19 Ω
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：4.7 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

1N5230BTR 数据手册

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1N5221B − 1N5252B  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
V
Z
(V) @ I (Note 2)  
Z
Min.  
Typ.  
2.4  
Max.  
Device  
Z
(W) @ I (mA)  
Z
(W) @ I (mA)  
I
(mA) @ V (V)  
T
C
(%/5C)  
Z
Z
ZK  
ZK  
R
R
1N5221B  
1N5222B  
1N5223B  
1N5225B  
1N5226B  
1N5227B  
1N5228B  
1N5229B  
1N5230B  
1N5231B  
1N5232B  
1N5233B  
1N5234B  
1N5235B  
1N5236B  
1N5237B  
1N5238B  
1N5239B  
1N5240B  
1N5241B  
1N5242B  
1N5243B  
1N5244B  
1N5245B  
1N5246B  
1N5247B  
1N5248B  
1N5249B  
1N5250B  
1N5251B  
1N5252B  
2.280  
2.375  
2.565  
2.850  
3.135  
3.420  
3.705  
4.085  
4.465  
4.845  
5.320  
5.700  
5.890  
6.460  
7.125  
7.790  
8.265  
8.645  
9.500  
10.450  
11.400  
12.350  
13.300  
14.250  
15.200  
16.150  
17.100  
18.050  
19.000  
20.900  
22.800  
2.52  
2.625  
2.835  
3.150  
3.465  
3.780  
4.095  
4.515  
4.935  
5.355  
5.880  
6.300  
6.510  
7.140  
7.875  
8.610  
9.135  
9.555  
10.500  
11.550  
12.600  
13.650  
14.700  
15.750  
16.800  
17.850  
18.900  
19.950  
21.000  
23.100  
25.200  
30  
30  
30  
29  
28  
24  
23  
22  
19  
17  
11  
7
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
9.5  
9.0  
8.5  
7.8  
7.4  
7.0  
6.6  
6.2  
5.6  
5.2  
1,200  
1,250  
1,300  
1,600  
1,600  
1,700  
1,900  
2,000  
1,900  
1,600  
1,600  
1,600  
1,000  
750  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
100  
100  
75  
1.0  
1.0  
−0.085  
−0.085  
−0.080  
−0.075  
−0.070  
−0.065  
−0.060  
0.055  
0.030  
0.030  
0.038  
0.038  
0.045  
0.050  
0.058  
0.062  
0.065  
0.068  
0.075  
0.076  
0.077  
0.079  
0.080  
0.082  
0.083  
0.084  
0.085  
0.085  
0.086  
0.087  
0.088  
2.5  
2.7  
1.0  
3.0  
50  
1.0  
3.3  
25  
1.0  
3.6  
15  
1.0  
3.9  
10  
1.0  
4.3  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.5  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
1.0  
4.7  
2.0  
5.1  
2.0  
5.6  
3.0  
6.0  
3.5  
6.2  
7
4.0  
6.8  
5
5.0  
7.5  
6
500  
6.0  
8.2  
8
500  
6.5  
8.7  
8
600  
6.5  
9.1  
10  
17  
22  
30  
13  
15  
16  
17  
19  
21  
23  
25  
29  
33  
600  
7.0  
10.0  
11.0  
12.0  
13.0  
14.0  
15.0  
16.0  
17.0  
18.0  
19.0  
20.0  
22.0  
24.0  
600  
8.0  
600  
8.4  
600  
9.1  
600  
9.9  
600  
10.0  
11.0  
12.0  
13.0  
14.0  
14.0  
15.0  
17.0  
18.0  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
V Forward Voltage = 1.2 V Max. @ I = 200 mA  
F
F
2. Zener Voltage (V ). The zener voltage is measured with the device junction in the thermal equilibrium at the lead temperature (T )  
Z
L
at 30°C 1°C and 3/8″ lead length.  
www.onsemi.com  
2
 
123456

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