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1N5230BTR

更新时间： 2024-01-07 12:11:29

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安森美 - ONSEMI		测试二极管
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6页	142K
描述
Zener 0.5W

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1N5230BTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	0.63	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	19 Ω
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	4.7 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

1N5230BTR 数据手册

Zener Diodes

1N5221B - 1N5252B

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)

Values are at T = 25°C unless otherwise noted.

Symbol

Parameter

Power Dissipation

Value

500

Unit

mW/°C

°C

www.onsemi.com

Derate above 50°C

4.0

STG

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

−65 to +200

+230

°C

Lead Temperature (1/16 inch from case

for 10s

°C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

AXIAL LEAD

CASE 017AG

1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any

semiconductor device may be impaired.

Non−recurrent square wave Pulse Width = 8.3 ms, T = 50°C.

MARKING DIAGRAM

= Logo

221B

= Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 3 of

this data sheet.

Publication Order Number:

April, 2021 − Rev. 4

1N5221B/D

12 3 4 5 6

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