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1N5109

更新时间: 2024-02-25 20:37:23
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 117K
描述
POWER ZENERS

1N5109 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.81
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:1700 ΩJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:280 V最大反向电流:1 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:294 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:3 mA
Base Number Matches:1

1N5109 数据手册

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