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1N5061GP

更新时间: 2024-01-05 18:01:44
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NJSEMI 整流二极管
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1页 142K
描述
Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-15

1N5061GP 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:E-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.62外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:E-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.8 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50008-015
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:3 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N5061GP 数据手册

  

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