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1N4772E3 PDF预览

1N4772E3

更新时间： 2024-01-23 05:36:45
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 252K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN

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1N4772E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-LALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.72外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-204AA
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.25 W标称参考电压：9.1 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：0.182 mV/ °C最大电压容差：5%
Base Number Matches：1

1N4772E3 数据手册

 浏览型号1N4772E3的Datasheet PDF文件第1页 
1N4765 thru 1N4774A  
9.1 Volt Temperature Compensated Zener  
Reference Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC  
MAXIMUM  
JEDEC  
TYPE  
ZENER  
VOLTAGE  
(Note 3)  
ZENER  
TEST  
MAXIMUM  
DYNAMIC  
MAXIMUM  
REVERSE  
CURRENT  
IR @ 6 V  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
STABILITY  
TEMPERATURE  
RANGE  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COMPENSIATIONS  
NUMBER  
CURRENT  
IMPEDANCE  
(Note 2 & 3)  
α
VZ  
VZ @ IZT  
VOLTS  
9.1  
IZT  
mA  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
ZZT  
OHMS  
350  
350  
350  
350  
350  
350  
350  
350  
350  
350  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
IR  
µA  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
∆VZT  
mV  
68  
141  
34  
70  
14  
28  
7
oC  
%/oC  
0.01  
1N4765  
0 to + 75  
1N4765A  
1N4766  
9.1  
-55 to +100  
0 to + 75  
0.01  
9.1  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.0005  
0.0005  
0.01  
1N4766A  
1N4767  
9.1  
-55 to +100  
0 to + 75  
9.1  
1N4767A  
1N4768  
9.1  
-55 to +100  
0 to + 75  
9.1  
1N4768A  
1N4769  
9.1  
14  
3
-55 to +100  
0 to + 75  
9.1  
1N4769A  
1N4770  
9.1  
7
-55 to +100  
0 to + 75  
9.1  
68  
141  
34  
70  
14  
28  
7
1N4770A  
1N4771  
9.1  
-55 to +100  
0 to + 75  
0.01  
9.1  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.005  
0.005  
1N4771A  
1N4772  
9.1  
-55 to +100  
0 to + 75  
9.1  
1N4772A  
1N4773  
9.1  
-55 to +100  
0 to + 75  
9.1  
1N4773A  
1N4774  
9.1  
14  
3
-55 to +100  
0 to + 75  
9.1  
1N4774A  
9.1  
7
-55 to +100  
*JEDEC Registered Data.  
NOTES:  
1. Measured by superimposing IZ ac rms on IZ dc @ +25oC where IZ ac rms = 10% IZ dc.  
2. Maximum allowable change between any two discrete temperatures over the specified temperature range.  
3. Voltage measurements to be performed 15 seconds after application of dc current.  
4. Designate Radiation Hardened devices with “RH” prefix instead of “1N”, i.e., RH4774A.  
5. Consult factory for TX, TXV or JANS equivalent SCDs.  
PACKAGE DIMENSIONS  
All dimensions in: INCH  
mm  
Copyright 2003  
8-19-2003 REV A  
Microsemi  
Scottsdale Division  
Page 2  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  
12

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