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1N4766

更新时间： 2024-01-12 17:41:41

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商朗 - LUNSURE		二极管
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3页	58K
描述
ZENER DIODES

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1N4766 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.4
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AA	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	9.1 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：	0.455 mV/ °C	最大电压容差：	5%
Base Number Matches：	1

1N4766 数据手册

1N4728 THRU 1N4764

1W SILICON PLANAR ZENER DIODES

CHENYI ELECTRONICS

FEATURES

. Silicon planar power zener diodes

For use in stabilizing and clipping circuits with high power rating.

. Standaards Zener voltage toerance is

10%

Add suffix"A" for 5% tolerance Other tolerance available upon

request

MECHANICAL DATA

. Case: DO-41 glass case

.weight: Approx. 0.35 gram

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(LIMITING VALUES)(TA=25 )

Symbols

Value

Units

Zener current see table "Characteristics"

Power dissipation at TA=25

Junction temperature

1 1)

175

Ptot

-65 to +175

Storage temperature range

TSTG

1)Valid provided that a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature

ELECTRCAL CHARACTERISTICS(TA=25 )

Symbols

RthA

Min

Typ

Max

170 1)

1.2

Units

Thermal resistance junction to ambient

Forward voltage at IF=200mA

1) Valid provided that a distance at 8mm from case are kept at ambient temperature

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4766A	DIGITRON	Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 8.645; Max TMS B	获取价格
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1N4766A	MICROSEMI	9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES	获取价格
1N4766A	CDI-DIODE	9.1 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5%	获取价格
1N4766A	MOTOROLA	9.1V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-204AA	获取价格
1N4766AE3	MICROSEMI	Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN	获取价格