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1N4766A

更新时间: 2024-01-31 01:37:44
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿测试
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2页 53K
描述
9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N4766A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.4
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AAJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:0.455 mV/ °C最大电压容差:5%
Base Number Matches:1

1N4766A 数据手册

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