1N4737AAMO

更新时间： 2024-02-15 00:08:21

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恩智浦 - NXP		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
6页	31K
描述
DIODE 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

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1N4737AAMO 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	PLASTIC, DO-41, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.65	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	4 Ω
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	7.5 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	10%	工作测试电流：	34 mA
Base Number Matches：	1

1N4737AAMO 数据手册

Per type

T_j= 25 °C; unless otherwise specified.

WORKING

VOLTAGE

V_Z(V)⁽¹⁾

TEST CURRENT

DIFFERENTIAL

RESISTANCE

REVERSE CURRENT

at REVERSE VOLTAGE CURRENT

I_ZM(mA)

WORKING

NON-REPETITIVE

PEAK REVERSE

CURRENT

I_Ztest(mA)

r_dif(Ω)

TYPE No.

at I_Ztest

I_ZSM(mA)⁽²⁾

I_R(µA)

I_Z

(mA)

at I_Ztest

at I_Z

V_R(V)

NOM.

MAX.

100

MAX.

1N4728A

1N4729A

1N4730A

1N4731A

1N4732A

1N4733A

1N4734A

1N4735A

1N4736A

1N4737A

1N4738A

1N4739A

1N4740A

1N4741A

1N4742A

1N4743A

1N4744A

1N4745A

1N4746A

1N4747A

1N4748A

1N4749A

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

400

500

550

600

700

750

276

252

234

217

193

178

162

146

133

121

110

100

1380

1260

1190

1070

970

890

810

730

660

605

550

500

454

414

380

344

304

285

250

225

205

190

100

3.5

0.5

0.25

4.5

7.6

8.4

9.1

9.9

11.4

12.2

13.7

15.2

16.7

18.2

15.5

12.5

11.5

10.5

Notes

1. V_Zis measured with device at thermal equilibrium while held in clips at 10 mm from body in still air at 25 °C.

2. Half square wave or equivalent sinewave pulse ¹⁄₁₂₀second duration superimposed on I_Ztest

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