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1N4454TR

更新时间： 2024-02-09 05:49:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 142K
描述
高导通超快速二极管

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1N4454TR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.57
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N4454TR 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
High Conductance  
Ultra Fast Diode  
1N4454  
AXIAL LEAD  
(DO−35)  
CASE 017AG  
Sourced from Process 1R. See MMBD1201−1205 for characteristics.  
(Color Band Denotes Cathode)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
A
(T = 25°C unless otherwise noted) (Notes 1, 2, 3)  
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Rating  
Working Inverse Voltage  
Average Rectified Current  
DC Forward Current  
Value  
50  
Unit  
V
W
IV  
I
O
200  
400  
600  
mA  
mA  
mA  
A
X Y  
I
F
i
f
Recurrent Peak Forward Current  
4454 = Specific Device Code  
= Date Code  
Band Color: Black  
XY  
i
Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 s  
Pulse Width = 1.0 ms  
f(surge)  
1.0  
4.0  
T
Storage Temperature Range  
−65 to +200  
°C  
°C  
STG  
ORDERING INFORMATION  
T
J
Operating Junction Temperature  
175  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor devices may be impaired.  
2. These ratings are based on a maximum junction temperature of 200°C.  
3. These are steady limits. The factory should be consulted on applications  
involving pulsed or low duty cycle operations.  
1N4454  
DO−35  
(Pb−Free)  
5,000 Units /  
Bulk  
1N4454TR  
DO−35  
(Pb−Free)  
10,000 Units /  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Max  
Unit  
P
D
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
500  
3.33  
mW  
mW/°C  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
300  
°C/W  
q
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Breakdown Voltage  
Reverse Current  
Conditions  
Min  
Max  
Unit  
B
V
I
= 5.0 mA  
75  
−
V
R
I
R
V
V
= 50 V  
−
−
100  
100  
nA  
mA  
R
R
= 50 V, T = 150°C  
A
V
F
Forward Voltage  
I = 250 mA  
505  
550  
610  
−
575  
650  
710  
1.0  
mV  
mV  
mV  
V
F
I = 1.0 mA  
F
I = 2.0 mA  
F
I = 10 mA  
F
C
Diode Capacitance  
V
= 0, f = 1.0 MHz  
−
−
4.0  
4.0  
pF  
ns  
O
R
T
RR  
Reverse Recovery Time  
I = 10 mA, V = 1.0 V, I = 1.0 mA, R = 100 W  
F R rr L  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 2  
1N4454/D  
 
123

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