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1N4447

更新时间： 2024-02-20 15:23:38

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SYNSEMI		二极管开关
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2页	33K
描述
HIGH SPEED SWITCHING DIODE

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1N4447 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	0.025 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4447 数据手册

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

1N4447

DO - 35 Glass

(DO-204AH)

FEATURES :

• High switching speed: max. 4 ns

• Reverse voltage:max. 75V

• Peak reverse voltage:max. 100 V

• Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

0.150 (3.8)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

0.020 (0.52)max.

min.

MECHANICAL DATA :

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics ( Ta = 25 °C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

Maximum Peak Reverse Voltage

Maximum Reverse Voltage

Maximum Forward DC Current

Maximum Average Forward Current

Maximum Surge Forward Current at tp = 1 µs

Power Dissipation

100

200

I_F

I_F(AV)

I_FSM

P_D

150

500

°C

T_J

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

200

T_STG

-65 to + 200

°C

Electrical Characteristics ( Ta = 25 °C)

Test Condition

V_R= 20 V

Min.

Typ.

Max.

Unit

Parameter

Symbol

μA

I_R

Reverse Current

V_R= 20 V , Tj = 150 °C

V_F

V_(BR)R

I_F= 20 mA

Forward Voltage

100

Reverse Breakdown Voltage

Diode Capacitance

I_R= 100 μA (pulsed)

f = 1MHz ; V_R= 0

I_F= 10 mA ,V_R= 6 V,

Reverse Recovery T

Trr

R_L= 100 Ω

Page 1 of 2

Rev. 01 : May 9, 2006

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