Datasheet > 1N4006-BC02

1N4006-BC02

更新时间： 2024-01-05 07:49:35

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N4006-BC02 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	DO-41, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.58
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4006-BC02 数据手册

M C C

1N4001-BC02

THRU

1N4007-BC02

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Low Current Leakage

Metalurgically Bonded Construction

Low Cost

1 Amp Rectifier

50 to 1000 Volts

Maximum Ratings

Operating Temperature: -50°C to +125°C

DO-41

(Lead Cut Bend)

Storage Temperature: -50°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 20°C/W Junction To Lead

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

1N4001-BC02

1N4002-BC02

1N4003-BC02

1N4004-BC02

1N4005-BC02

1N4006-BC02

1N4007-BC02

---

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_A= 75°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

Maximum

INCHES

MIN

.480

.170

.166

.080

.028

.020

MIN

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

1.1V

I_FM= 1.0A;

T_J= 25°C*

DIM

MAX

.50

MAX

12.7

4.82

5.20

2.70

.90

NOTE

12.2

4.30

4.10

2.00

.70

.190

.205

.107

.034

.040

5.0mA

50mA

T_J= 25°C

T_J= 125°C

0.50

1.01

Typical Junction

Capacitance

C_J

15pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

Revision: 3

2002/12/31

12 3

下载PDF

与1N4006-BC02相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4006-BC02-BP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN	获取价格
1N4006-BC02-TP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN	获取价格
1N4006BK	CENTRAL	暂无描述	获取价格
1N4006BKLEADFREE	CENTRAL	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM),	获取价格
1N4006-BP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA	获取价格
1N4006-BP-HF	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41,	获取价格