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1N3600URE3

更新时间： 2024-02-04 03:33:24

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美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	44K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

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1N3600URE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.64
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

IN4150UR-1, IN3600UR-1, CDLL4150 and CDLL3600

1000

100

0.1

1.0

1.1

1.2

1.3

VF - Forward Voltage (V)

FIGURE 2

Typical Forward Current

vs Forward Voltage

1000

100

0.1

.01

.001

NOTE :

All temperatures shown on graphs are

junction temperatures

20 40 60 80 100 120 140

Percent of Reverse Working Voltage (%)

FIGURE 3

Typical Reverse Current

vs Reverse Voltage

116

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N3600VC	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格
1N3600VG	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格
1N3600VH	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格
1N3601	ETC	silicon diode	获取价格
1N3602	ETC	silicon diode	获取价格
1N3603	ETC	silicon diode	获取价格