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1B02MTR16

更新时间: 2024-02-15 10:25:14
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon

1B02MTR16 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDIP-T4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDIP-T4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:31 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1B02MTR16 数据手册

  

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