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1N5529

更新时间: 2024-02-01 10:10:28
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NJSEMI 二极管齐纳二极管测试局域网
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1页 191K
描述
0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES

1N5529 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-213AA
包装说明:R-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.69
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-213AA
JESD-30 代码:R-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:RECTANGULAR
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
标称参考电压:9.1 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:20%
工作测试电流:1 mABase Number Matches:1

1N5529 数据手册

  

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