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1N4148WS

更新时间： 2024-01-18 11:59:51

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4页	368K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR SMALL SIGNAL DIODE

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技术参数
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1N4148WS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.715 V	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.15 A	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

1N4148WS 数据手册

1N4148WS

SILICON EPITAXIAL PLANAR SMALL SIGNAL DIODE

Features

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

• SOD-323 package

• Fast switching

Anode

• These diodes are also available in other case

style including the DO-35 case with the type

designation 1N4148, the MiniMELF case with the

type designation LL4148 and the MicroMELF

case with the type designation MCL4148.

Top View

Marking Code: "W2"

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_RM

Value

100

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_R

Average Rectified Current Half Wave

I_F(AV)

150

Rectification with Resistive Load f ≥ 50 Hz

Surge Forward Current (t < 1 s, T_j= 25 C)

I_FSM

P_tot

R_θJA

T_j

350

200

Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient Air

Junction Temperature

625

C/W

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Electrical Characteristics (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_F

Min.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

Reverse Current

at V_R= 20 V

at V_R= 75 V

µA

I_R

at V_R= 20 V, T_J= 150 C

Capacitance

at V_F= V_R= 0 V

C_tot

t_rr

Reverse Recovery Time

from I_F= 10 mA to I_R= 1 mA, V_R= 6 V, R_L= 100 Ω

Voltage Rise when Switching On (tested with 50 mA Pulses

t_p= 0.1 μs, Rise Time < 30 ns, f_p= 5 to 100 KHz)

V_fr

η_v

2.5

Rectification Efficiency

at f = 100 MHz, V_RF= 2 V

0.45

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 07/04/2009

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