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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 16TTS12PBF
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16TTS12PBF

更新时间： 2024-01-11 16:50:54
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威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 146K
描述
Phase Control SCR, 10 A

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16TTS12PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.16外壳连接：ISOLATED
标称电路换相断开时间：110 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：60 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：100 mA
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大漏电流：10 mA
湿度敏感等级：1通态非重复峰值电流：170 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：10000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：16 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

16TTS12PBF 数据手册

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16TTS..PbF High Voltage Series  
Phase Control SCR, 10 A  
Vishay High Power Products  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
VALUES  
TYP. MAX.  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
A
Maximum average on-state current  
Maximum RMS on-state current  
IT(AV)  
IRMS  
TC = 98 °C, 180° conduction, half sine wave  
10  
16  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
10 A, TJ = 25 °C  
170  
200  
144  
200  
2000  
1.4  
Maximum peak, one-cycle,  
non-repetitive surge current  
ITSM  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Maximum I2√t for fusing  
Maximum on-state voltage drop  
On-state slope resistance  
Threshold voltage  
I2√t  
VTM  
rt  
A2√s  
V
24.0  
1.1  
mΩ  
V
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
VT(TO)  
0.5  
Maximum reverse and direct leakage current  
Holding current  
IRM/IDM  
VR = Rated VRRM/VDRM  
TJ = 125 °C  
10  
mA  
Anode supply = 6 V, resistive load, initial IT = 1 A  
16TTS08PbF, 16TTS12PbF  
IH  
-
100  
Maximum latching current  
IL  
Anode supply = 6 V, resistive load  
200  
500  
150  
Maximum rate of rise of off-state voltage  
Maximum rate of rise of turned-on current  
dV/dt  
dI/dt  
V/µs  
A/µs  
TRIGGERING  
PARAMETER  
SYMBOL  
PGM  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
8.0  
2.0  
1.5  
10  
UNITS  
Maximum peak gate power  
Maximum average gate power  
Maximum peak positive gate current  
Maximum peak negative gate voltage  
W
PG(AV)  
+ IGM  
A
V
- VGM  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 65 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 65 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C  
90  
Maximum required DC gate current to trigger  
IGT  
mA  
60  
35  
3.0  
2.0  
1.0  
0.2  
2.0  
Maximum required DC gate  
voltage to trigger  
VGT  
V
Maximum DC gate voltage not to trigger  
Maximum DC gate current not to trigger  
VGD  
IGD  
TJ = 125 °C, VDRM = Rated value  
mA  
SWITCHING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Typical turn-on time  
Typical reverse recovery time  
Typical turn-off time  
tgt  
trr  
tq  
TJ = 25 °C  
0.9  
4
µs  
TJ = 125 °C  
110  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
Document Number: 94603  
Revision: 15-Sep-08  
1234567

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16TTS12S VISHAY Surface Mountable Phase Control SCR, 16 A

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16TTS12STR VISHAY 暂无描述

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