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16RIA120S90

更新时间： 2024-01-19 10:58:20
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
9页 229K
描述
MEDIUM POWER THYRISTORS

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16RIA120S90 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-48
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
标称电路换相断开时间：110 µs配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：60 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：130 mAJEDEC-95代码：TO-208AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D2最大漏电流：10 mA
通态非重复峰值电流：360 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：16000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：35 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

16RIA120S90 数据手册

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16RIA Series  
Bulletin I2404 rev. A 07/00  
Switching  
Parameter  
di/dt Max. rate of rise of turned-on  
current DRM ≤ 600V  
DRM ≤ 800V  
16RIA  
Units Conditions  
TJ = TJ max., VDM = rated VDRM  
A/µs Gate pulse = 20V, 15Ω, t = 6µs, t = 0.1µs max.  
V
200  
180  
160  
150  
p
r
V
ITM = (2x rated di/dt) A  
VDRM ≤ 1000V  
VDRM ≤ 1600V  
t
Typical turn-on time  
0.9  
TJ = 25°C,  
gt  
at = rated VDRM/VRRM, TJ = 125°C  
TJ = TJ max.,  
t
Typical reverse recovery time  
Typical turn-off time  
4
µs  
rr  
ITM = IT(AV), t > 200µs, di/dt = -10A/µs  
p
t
110  
TJ = TJ max., ITM = IT(AV), t > 200µs, VR = 100V,  
p
q
di/dt = -10A/µs, dv/dt = 20V/µs linear to  
67% VDRM, gate bias 0V-100W  
(*) t = 10µsup to 600V, t = 30µs up to 1600V available on special request.  
q
q
Blocking  
Parameter  
16RIA  
Units Conditions  
TJ = TJ max. linear to 100% rated VDRM  
TJ = TJ max. linear to 67% rated VDRM  
dv/dt Max. critical rate of rise of  
off-state voltage  
100  
V/µs  
300 (*)  
(**) Available with: dv/dt = 1000V/µs, to complete code add S90 i.e. 16RIA160S90.  
Triggering  
Parameter  
16RIA  
8.0  
Units Conditions  
PGM  
Maximum peak gate power  
TJ = TJ max.  
W
PG(AV) Maximum average gate power  
IGM Max. peak positive gate current  
2.0  
1.5  
A
V
TJ = TJ max.  
TJ = TJ max.  
-VGM Maximum peak negative  
gate voltage  
10  
IGT  
DC gate current required  
to trigger  
90  
60  
35  
3.0  
TJ = - 65°C  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
TJ = - 65°C  
Max. required gate trigger current/  
voltage are the lowest value which  
will trigger all units 6V anode-to-  
cathode applied  
mA  
VGT  
DC gate voltage required  
to trigger  
2.0  
1.0  
2.0  
V
V
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
IGD  
DC gate current not to trigger  
DC gate voltage not to trigger  
mA  
TJ = TJ max., VDRM = rated value  
Max. gate current/ voltage not to  
VGD  
0.2  
V
TJ = TJ max.  
trigger is the max. value which  
DRM = rated value will not trigger any unit with rated  
VDRM anode-to-cathode applied  
V
www.irf.com  
3
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