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15KPA58E3/TR13

更新时间: 2024-01-07 08:00:28
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 444K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN

15KPA58E3/TR13 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.68Is Samacsys:N
最大击穿电压:71.28 V最小击穿电压:64.8 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:15000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:58 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

15KPA58E3/TR13 数据手册

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