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13NM50-U2

更新时间： 2023-12-06 20:08:44

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13NM50-U2 数据手册

13NM50-U2

Power MOSFET



ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

Gate-Source Leakage Current

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On-State Resistance

DYNAMIC PARAMETERS

Input Capacitance

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V, I_D=250µA

V_DS=500V, V_GS=0V

V_DS=0V ,V_GS=±30V

500

µA

I_GSS

±100 nA

V_GS(TH)

R_DS(ON)

V_DS= V_GS, I_D=250µA

V_GS=10V, I_D=6.5A

2.5

4.5

0.4

ꢀ

C_ISS

C_OSS

C_RSS

650

570

V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING PARAMETERS

Total Gate Charge (Note 1)

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q_G

Q_GS

Q_GD

t_D(ON)

t_R

7.2

V_DS=100V, V_GS=10V,

I_D=13A , I_G=1mA (Note 1, 2)

Turn-ON Delay Time (Note 1)

Rise Time

V_DD=100V, V_GS=10V,

I_D=13A, R_G=25ꢀ (Note 1, 2)

Turn-OFF Delay Time

t_D(OFF)

t_F

Fall-Time

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Maximum Body-Diode Continuous Current

Maximum Body-Diode Pulsed Current

I_S

I_SM

V_SD

t_rr

Drain-Source Diode Forward Voltage (Note 1)

Body Diode Reverse Recovery Time (Note 1)

Body Diode Reverse Recovery Charge

I_S=13A, V_GS=0V

I_S=13A, V_GS=0V,

dI_F/dt=100A/μs

1.4

310

3.8

μC

Q_rr

Notes: 1. Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%.

2. Essentially independent of operating temperature.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

4 of 9

QW-R205-317.D

www.unisonic.com.tw

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