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130MT160KPBF

更新时间： 2024-02-08 01:26:30
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英飞凌 - INFINEON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 975K
描述
Bridge Rectifier Diode, 160A, 1600V V(RRM),

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130MT160KPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.37
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.63 V最大非重复峰值正向电流：1180 A
元件数量：6最高工作温度：150 °C
最大输出电流：160 A最大重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
Base Number Matches：1

130MT160KPBF 数据手册

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130-160MT..KPbF Series  
Bulletin I27216 03/06  
ELECTRICALSPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VRRM , maximum repetitive  
VRSM , maximum non-  
IRRM max.  
Type number  
peak reverse voltage  
V
repetitive peak rev. voltage  
V
@ TJ max.  
mA  
80  
800  
900  
100  
120  
140  
160  
1000  
1200  
1400  
1600  
1100  
1300  
1500  
1700  
130-160MT..K  
10  
Forward Conduction  
Parameter  
130MT.K 160MT.K Units Conditions  
IO  
Maximum DC output current  
@ Case temperature  
130 (160) 160 (200)  
A
°C  
A
120° Rect conduction angle  
85 (62)  
1130  
1180  
950  
85 (60)  
1430  
1500  
1200  
1260  
10200  
9300  
7200  
6600  
102000  
0.81  
IFSM Maximum peak, one-cycle forward,  
non-repetitive surge current  
t = 10ms No voltage  
t = 8.3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
1000  
64000  
5800  
4500  
4100  
64000  
0.78  
t = 8.3ms reapplied  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
A2s t = 10ms No voltage  
t = 8.3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8.3ms reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
V
V
r
F(TO)1 Low level value of threshold voltage  
F(TO)2 High level value of threshold voltage  
Low level value of forward slope resistance  
High level value of forward slope resistance  
V
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), @ TJ max.  
(I > π x IF(AV)), @ TJ max.  
0.99  
1.04  
4.59  
4.17  
1.63  
3.52  
3.13  
1.49  
mΩ (16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), @ TJ max.  
(I > π x IF(AV)), @ TJ max.  
f1  
r
f2  
VFM Maximum forward voltage drop  
VINS RMS isolation voltage  
V
V
Ipk = 200A, TJ = 25°C, tp = 400μs single junction  
4000  
4000  
TJ = 25°C, all terminal shorted  
f = 50Hz, t = 1s  
Thermal and Mechanical Specifications  
Parameter  
130MT.K 160MT.K Units Conditions  
TJ  
T
Max. junction operating temperature range  
Max. storage temperature range  
-40 to 150  
-40 to 150  
°C  
°C  
stg  
RthJC Max. thermal resistance, junction to case  
0.16  
0.12  
0.73  
0.15  
0.88  
K/W DC operation per module  
DC operation per junction  
0.93  
0.18  
1.08  
120° Rect condunction angle per module  
120° Rect condunction angle per junction  
RthCS Max. thermal resistance, case to heatsink  
0.03  
K/W Per module  
Mounting surface smooth, flat and greased  
A mounting compound is recommended and the  
Nm  
T
Mounting torque ± 10%  
Approximate weight  
to heatsink  
to terminal  
4 to 6  
3 to 4  
176  
torque should be rechecked after a period of 3  
hours to allow for the spread of the compound.  
Lubricated threads.  
g
wt  
2
www.irf.com  
1234567

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