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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.61 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.29 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 37.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 12P10-TN3-R | UTC | 100V P-CHANNEL MOSFET |
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| 12P10-TN3-T | UTC | 100V P-CHANNEL MOSFET |
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| 12PAF-6S | ETC | 2.0mm pitch/Wire-to-board (Crimp style/IDC) / Wire-to-wire (Crimp style/IDC) |
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| 12PAF-6S | JST | 业界首创具有安全锁定装置的压接型连接器。*安全锁定装置防止意外断开。*二级固定器*PAF连 |
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| 12PC120T4B | ETC | Optoelectronic |
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| 12PC120T4G | ETC | Optoelectronic |
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