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12F-100

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

品牌	Logo	应用领域
TRSYS		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	161K
描述
STANDARD RECOVERY DIODE

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12F-100 数据手册

12F(R) SERIES

STANDARD RECOVERY DIODE

V_RRM= 100-1200V, I_F(AV)= 12A ,VF = 1.26 Volt.

Symbol

A

Cathode to Stud Shown

(Anode to Stud add Suffix R)

K

O

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Add Prefix"A" for avalanche 400-1200V

(Tj = 25 C unless stated otherwise)

Symbol

12F(R) 12F(R) 12F(R)

12F(R)

-60

12F(R) 12F(R)

12F(R)

-120

-10

-20

-40

-80

-100

Unit

Volt

V_RRM

100

200

400

600

800

1000

1200

Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Average On-State Current

Peak Forward Surge Current 8.3mS

I_F

(AV)

O

Amp

Amp

12.0 at tc=144 C

235

I_FSM

2

2

2

226

A /S

Maximum I T for Fusing 8.3ms

I T

O

-65 to +200

-65 to +175

T_(STG)

Tj

C

Maximum Storage Temperature Range

Maximum Junction Temperature Range

O

C

ELECTRICAL CHARACTERISICS at

Parameter

Tj = 25 C Maximum. Unless stated Otherwise

Value

Typ

Condition

Symbol

Unit

Max

1.26

12.0

Min

V_FM

Maximum Forward Voltage

Repetitive Peak Reverse Current

I_FM= 38 Amps

Volt

mA

O

I_RRM

V_R= V_RRM. t_J=175 C

Maximum non-repetitive peak reverse power

(Avalanche Version)

tp= 10µs rect wave at tj

Max

P_R

kW

7.0

O

C/W

R_TH

Thermal Resistance (Junction to Case)

Mounting Torque

(J-c)

2.0

1.2

7.0

NM

M_T

Wt

grms

Weight

a

b

DIMENSIONS

Millimetres

Inches

c

Dim

a

Min

Max

Min

Max

12.82

0.505

1.65

0.437 10.77 11.20

e

b

c

0.020

0.424

0.065

0.51

d

0.310

0.413

7.87

10.49

2.54

d

e

f

g

0.060 0.100 1.53

0.075 0.175 1.91

10 -32 UNF3A

0.600 0.820 15.24 20.82

0.422 0.453 10.72 11.50

f

4.44

h

j

k

m

j

Polarity Symbol

0.405

10.29

g

m

k

MetalCase

DO-4

h

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
12F100B	INFINEON	6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes	获取价格
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