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12F100B

更新时间: 2024-01-04 22:37:46
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
8页 336K
描述
6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes

12F100B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.71
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:280 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50009-037
最大重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

12F100B 数据手册

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