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11LC080T-ETO

更新时间: 2024-02-07 05:04:01
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
44页 801K
描述
1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet

11LC080T-ETO 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.89Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/158362.2.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=158362PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=158362
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=158362Samacsys PartID:158362
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/11LC080T-I/TT.jpgSamacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/11LC080T-I/TT.jpg
Samacsys Pin Count:3Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name:(TT)(SOT-23)
Samacsys Released Date:2015-04-16 09:48:08Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):1 MHz数据保留时间-最小值:200
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3长度:2.9 mm
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:3
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TO-236封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.12 mm
串行总线类型:1-WIRE最大待机电流:0.000005 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.005 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:0.95 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:1.3 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

11LC080T-ETO 数据手册

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11AAXXX/11LCXXX  
DEVICE SELECTION TABLE  
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I, E  
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DS22067H-page 2  
Preliminary  
2010 Microchip Technology Inc.  

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