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11AA010T-E/SN

更新时间： 2024-01-25 02:43:01

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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38页	571K
描述
1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet

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11AA010T-E/SN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	1.46
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	长度：	2.9 mm
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	3
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TO-236	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.12 mm
串行总线类型：	1-WIRE	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.95 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	1.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

11AA010T-E/SN 数据手册

11AAXXX/11LCXXX

DEVICE SELECTION TABLE

Density

(bits)

Page Size

(Bytes)

Temp.

Ranges

Part Number

Organization VCC Range

Packages

P, SN, MS, MN, TT

11LC010

11AA010

11LC020

11AA020

11LC040

11AA040

11LC080

11AA080

11LC160

11AA160

128 x 8

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

I,E

256 x 8

I,E

256 x 8

512 x 8

I,E

512 x 8

1,024 x 8

2,048 x 8

I,E

16K

I,E

DS22067E-page 2

Preliminary

123 4 5 6 7...38

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