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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 113CNQ100ASLPBF
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113CNQ100ASLPBF

更新时间： 2024-02-01 23:54:14
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 159K
描述
Schottky Rectifier New Generation 3 D-61 Package, 2 x 55 A

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113CNQ100ASLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.79 VJESD-30 代码：R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：720 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：55 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

113CNQ100ASLPBF 数据手册

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VS-113CNQ100A PbF Series  
Schottky Rectifier  
New Generation 3 D-61 Package, 2 x 55 A  
Vishay High Power Products  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average  
forward current  
See fig. 5  
per leg  
55  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 150 °C, rectangular waveform  
A
per device  
110  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current per leg  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
7000  
IFSM  
EAS  
IAR  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 30 mH  
720  
15  
Non-repetitive avalanche energy per leg  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
Repetitive avalanche current per leg  
1
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
0.81  
UNITS  
55 A  
TJ = 25 °C  
110 A  
1.00  
Maximum forward voltage drop per leg  
See fig. 1  
(1)  
VFM  
V
55 A  
0.66  
TJ = 125 °C  
110 A  
0.79  
TJ = 25 °C  
1.0  
32  
Maximum reverse leakage current per leg  
See fig. 2  
(1)  
IRM  
VR = Rated VR  
TJ = 125 °C  
mA  
Maximum junction capacitance per leg  
Typical series inductance per leg  
Maximum voltage rate of change  
CT  
LS  
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz), 25 °C  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
Rated VR  
1960  
5.5  
pF  
nH  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
Note  
(1)  
Pulse width < 300 μs, duty cycle < 2 %  
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum junction and storage  
temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to 175  
°C  
Maximum thermal resistance,  
junction to case per leg  
DC operation  
See fig. 4  
0.5  
RthJC  
Maximum thermal resistance,  
junction to case per package  
DC operation  
0.25  
0.30  
°C/W  
Typical thermal resistance,  
case to heatsink (D-61-8 only)  
Mounting surface, smooth and greased  
Device flatness < 5 mils  
RthCS  
7.8  
g
Approximate weight  
0.28  
oz.  
minimum  
maximum  
12 (10)  
24 (20)  
kgf · cm  
(lbf · in)  
Mounting torque  
(D-61-8 only)  
Recommended hardware 3M stainless screw  
Case style D-61  
113CNQ100A  
Marking device  
Case style D-61-8-SM  
Case style D-61-8-SL  
113CNQ100ASM  
113CNQ100ASL  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
Document Number: 94125  
Revision: 16-Apr-10  
1234567...9

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