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112RIA80S90

更新时间： 2024-02-29 08:29:48
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 106K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, METAL GLASS, TO-83, 3 PIN

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112RIA80S90 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-83
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：120 mAJEDEC-95代码：TO-208AD
JESD-30 代码：O-MUPM-D2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：140 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：172 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

112RIA80S90 数据手册

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111RIA Series  
Bulletin I25204 01/01  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VDRM/VRRM, max. repetitive  
VRSM , maximum non-  
IDRM/IRRM max.  
Type number  
111RIA  
peak and off-state voltage  
repetitive peak voltage  
@ T = TJ max.  
V
400  
800  
V
500  
900  
J mA  
40  
80  
20  
120  
1200  
1300  
On-state Conduction  
Parameter  
111RIA  
Units Conditions  
IT(AV) Max. average on-state current  
@ Case temperature  
110  
90  
A
°C  
180° conduction, half sine wave  
IT(RMS) Max. RMS on-state current  
172  
2080  
2180  
1750  
1830  
21.7  
19.8  
15.3  
14.0  
217  
DC @ 83°C case temperature  
t = 10ms No voltage  
t = 8.3ms reapplied  
ITSM  
Max. peak, one-cycle  
non-repetitive surge current  
A
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8.3ms reapplied  
t = 10ms No voltage  
t = 8.3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8.3ms reapplied  
Sinusoidal half wave,  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
KA2s  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
KA2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VT(TO)1 Low level value of threshold  
voltage  
0.82  
1.02  
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
(I > π x IT(AV)),TJ = TJ max.  
V
VT(TO) High level value of threshold  
2
voltage  
rt1  
Low level value of on-state  
slope resistance  
2.16  
1.70  
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
(I > π x IT(AV)),TJ = TJ max.  
mΩ  
rt2  
High level value of on-state  
slope resistance  
VTM  
IH  
Max. on-state voltage  
Maximum holding current  
Typical latching current  
1.57  
150  
400  
V
I = 350A, TJ = TJ max., t = 10ms sine pulse  
pk p  
mA  
TJ = 25°C, anode supply 6V resistive load  
IL  
Switching  
Parameter  
111RIA  
300  
Units Conditions  
di/dt Max. non-repetitive rate of rise  
of turned-on current  
Gate drive 20V, 20Ω, t ≤ 1µs  
r
A/µs  
TJ = TJ max, anode voltage ≤ 80% VDRM  
Gate current 1A, di /dt = 1A/µs  
g
t
Typical delay time  
Typical turn-off time  
1
d
q
V
= 0.67% VDRM, TJ = 25°C  
d
µs  
ITM = 50A, TJ = TJ max., di/dt = -5A/µs, VR = 50V  
dv/dt = 20V/µs, Gate 0V 25Ω  
t
110  
www.irf.com  
2
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
112RIA80S90PBF INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD,

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112RKI10 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 110000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Ele

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112RKI100 VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 172 A, 1000 V, SCR, TO-209AC

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112RKI100M INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 1000V V(DRM)

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112RKI100S90PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A

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