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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 112MT140KBS90
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112MT140KBS90

更新时间： 2024-02-10 03:58:04
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英飞凌 - INFINEON 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
9页 115K
描述
THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE

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112MT140KBS90 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.09其他特性：UL APPROVED
外壳连接：ISOLATED配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE
最大直流栅极触发电流：150 mAJESD-30 代码：R-PUFM-X14
JESD-609代码：e2元件数量：3
端子数量：14封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
断态重复峰值电压：1400 V重复峰值反向电压：1400 V
表面贴装：NO端子面层：TIN COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

112MT140KBS90 数据手册

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53-93-113MT..KB Series  
Bulletin I27503 08/97  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VRRM, maximum  
VRSM, maximum  
VDRM, max. repetitive IRRM/IDRM max.  
Type number  
repetitive peak  
reverse voltage  
V
non-repetitive peak peak off-state voltage @ TJ = 125°C  
reverse voltage  
V
gate open circuit  
V
mA  
10  
80  
100  
120  
140  
160  
80  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
800  
900  
1100  
1300  
1500  
1700  
900  
800  
1000  
1200  
1400  
1600  
800  
53/52/51MT..KB  
93/92/91MT..KB  
100  
120  
140  
160  
1000  
1200  
1400  
1600  
1100  
1300  
1500  
1700  
1000  
1200  
1400  
1600  
113/112/111MT..KB  
20  
Forward Conduction  
53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB  
Parameter  
52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units Conditions  
51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB  
IO  
Maximum DC output current  
@ Case temperature  
55  
85  
90  
85  
110  
85  
A
°C  
A
120° Rect conduction angle  
ITSM Maximum peak, one-cycle  
forward, non-repetitive  
390  
410  
330  
345  
770  
700  
540  
500  
7700  
950  
1130  
1180  
950  
t = 10ms No voltage  
t = 8.3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8.3ms reapplied  
1000  
800  
on state surge current  
840  
1000  
6380  
5830  
4510  
4120  
63800  
Initial  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
4525  
4130  
3200  
2920  
45250  
A2s t = 10ms No voltage  
TJ = TJ max.  
t = 8.3ms reapplied  
t = 10ms 100% VRRM  
t = 8.3ms reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VT(TO)1 Low level value of threshold  
1.17  
1.09  
1.27  
4.10  
3.59  
1.65  
1.04  
1.27  
3.93  
3.37  
1.57  
V
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), @ TJ max.  
voltage  
VT(TO)2 High level value of threshold  
voltage  
1.45  
(I > π x IT(AV)), @ TJ max.  
r
Low level value on-state  
slope resistance  
12.40  
11.04  
2.68  
mΩ (16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT ), @ T max.  
(AV)  
J
t1  
r
High level value on-state  
slope resistance  
(I > π x IT(AV)), @ TJ max.  
t2  
VTM Maximum on-state voltage drop  
V
Ipk = 150A, TJ = 25°C  
tp = 400µs single junction  
di/dt Max. non-repetitive rate  
of rise of turned oncurrent  
150  
200  
400  
A/µs TJ = 25oC, from 0.67 VDRM, ITM = π x IT(AV)  
,
I
= 500mA,t <0.5µs,t >6µs  
g
p
r
IH  
Max. holding current  
TJ =25oC, anodesupply=6V,  
mA resistive load, gate open circuit  
TJ =25oC,anode supply=6V,resistive load  
IL  
Max. latching current  
2
www.irf.com  
1234567...9

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