111RKI80

更新时间： 2024-02-11 02:55:52

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英飞凌 - INFINEON		栅极
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8页	135K
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PHASE CONTROL THYRISTORS

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111RKI80 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-94
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CUPM-H3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	18 weeks	风险等级：	5.2
标称电路换相断开时间：	110 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us	最大直流栅极触发电流：	120 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	200 mA
JEDEC-95代码：	TO-209AC	JESD-30 代码：	O-CUPM-H3
最大漏电流：	20 mA	通态非重复峰值电流：	2180 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	110000 A	最高工作温度：	140 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	172 A	断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

111RKI80 数据手册

110/111RKI Series

Bulletin I25152 rev$ E 09/03

10000

1000

100

T = 25°C

T = 140°C

110/111RKISeries

111RKI Se rie s

Insta nta ne ous O n-sta te Volta g e (V)

Figꢀ 7 - On-state Voltage Drop Characteristics

Ste a d y Sta te Va lue

= 0.27 K/ W

thJC

(DC Op e ra tion)

0.1

0.01

0.001

110/111RKISeries

111RKI Se rie s

0.0001

0.001

0.01

0.1

Sq ua re Wa ve Pulse Dura tion (s)

Figꢀ 8 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristic

100

Re c ta ng ula r g a te p ulse

(1) PGM = 12W, tp = 5m s

(2) PGM = 30W, tp = 2m s

(3) PGM = 60W, tp = 1m s

(4) PGM = 200W, tp = 300µs

a ) Re c om m e nd e d loa d line for

ra te d d i/ d t: 20V, 30o hm s;

tr<=0.5 µs, tp =>6µs

b ) Re c om m e nd e d lo a d lin e fo r

<=30% ra te d d i/ d t: 15V, 40ohm s

(a )

tr<=1 µs, tp =>6µs

(b )

(2) (3)

(1)

(4)

VGD

IGD

0.01

Device:110/111RKISeries

De vic e : 111RKI Se rie s

Fre q ue nc y Lim ite d b y PG(AV)

10 100 1000

0.1

0.001

0.1

Insta nta ne ous Ga te C urre nt (A)

Figꢀ 9 - Gate Characteristics

wwwꢀirfꢀcom

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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