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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 111RKI120
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111RKI120

更新时间： 2024-02-24 13:40:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 135K
描述
PHASE CONTROL THYRISTORS

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111RKI120 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-94
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-CUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：5.2
Is Samacsys：N标称电路换相断开时间：110 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：120 mA最大直流栅极触发电压：2 V
最大维持电流：200 mAJEDEC-95代码：TO-209AC
JESD-30 代码：O-CUPM-H3最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：2180 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：110000 A
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：172 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

111RKI120 数据手册

 浏览型号111RKI120的Datasheet PDF文件第1页浏览型号111RKI120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号111RKI120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号111RKI120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号111RKI120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号111RKI120的Datasheet PDF文件第7页 
110/111RKI Series  
Bulletin I25152 rev$ E 09/03  
Blocking  
Parameter  
110/111RKI  
Units Conditions  
V/µs TJ = TJ maxꢀ linear to 80% rated VDRM  
dv/dt Maximum critical rate of rise of  
off-state voltage  
500  
IRRM  
IDRM  
Maxꢀ peak reverse and off-state  
leakage current  
20  
mA  
TJ = TJ max, rated VDRM/VRRM applied  
Triggering  
Parameter  
Maximum peak gate power  
PG(AV) Maximum average gate power  
IGM Maxꢀ peak positive gate current  
110/111RKI  
Units Conditions  
PGM  
12  
3ꢀ0  
3ꢀ0  
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
W
A
TJ = TJ max, f = 50Hz, d% = 50  
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
+VGM Maximum peak positive  
gate voltage  
20  
10  
V
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
-VGM Maximum peak negative  
gate voltage  
TYPꢀ  
MAXꢀ  
IGT  
DC gate current required  
to trigger  
TJ = - 40°C  
TJ = 25°C  
180  
80  
-
120  
-
mA  
V
Maxꢀ required gate trigger/ cur-  
40  
TJ = 140°C  
TJ = - 40°C  
TJ = 25°C  
TJ = 140°C  
rent/ voltage are the lowest value  
which will trigger all units 12V  
anode-to-cathode applied  
VGT  
DC gate voltage required  
to trigger  
2ꢀ5  
1ꢀ6  
1
-
2
-
Maxꢀ gate current/ voltage not to  
trigger is the maxꢀ value which  
will not trigger any unit with rated  
VDRM anode-to-cathode applied  
IGD  
DC gate current not to trigger  
DC gate voltage not to trigger  
6ꢀ0  
mA  
V
TJ = TJ max  
VGD  
0ꢀ25  
Thermal and Mechanical Specification  
Parameter  
110/111RKI  
-40 to 140  
Units Conditions  
TJ  
T
Maxꢀoperatingtemperaturerange  
Maxꢀstoragetemperaturerange  
°C  
-40 to 150  
stg  
RthJC Maxꢀthermalresistance,  
0ꢀ27  
DCoperation  
K/W  
junction to case  
RthCS Maxꢀthermalresistance,  
0ꢀ1  
Mounting surface, smooth, flat and greased  
Non lubricated threads  
case to heatsink  
T
Mountingtorque,±10%  
15ꢀ5  
(137)  
14  
Nm  
(lbf-in)  
Lubricated threads  
SeeOutlineTable  
(120)  
130  
wt  
Approximateweight  
Casestyle  
g
TO-209AC(TO-94)  
3
wwwꢀirfꢀcom  
12345678

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与111RKI120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
111RKI120M INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 1200V V(DRM)
111RKI120PBF VISHAY

获取价格

 		Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A
111RKI120S90 INFINEON

获取价格

 		PHASE CONTROL THYRISTORS Stud Version
111RKI120S90PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
111RKI40 INFINEON

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 		PHASE CONTROL THYRISTORS
111RKI40 VISHAY

获取价格

 		Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A
111RKI40PBF VISHAY

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 		Phase Control Thyristors (Stud Version), 110 A
111RKI40S90 INFINEON

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 		PHASE CONTROL THYRISTORS Stud Version
111RKI40S90PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
111RKI80 INFINEON

获取价格

 		PHASE CONTROL THYRISTORS

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