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111RIA80S90

更新时间： 2024-02-03 07:23:45
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, METAL GLASS, TO-94, 3 PIN

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111RIA80S90 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-94
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.12配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：120 mAJEDEC-95代码：TO-209AC
JESD-30 代码：O-MUPM-H3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：172 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

111RIA80S90 数据手册

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111RIA Series  
Bulletin I25204 01/01  
Blocking  
Parameter  
dv/dt Maximum critical rate of rise of  
off-state voltage  
111RIA  
500  
Units Conditions  
V/µs TJ = TJ max. linear to 80% rated VDRM  
IRRM  
IDRM  
Max. peak reverse and off-state  
leakage current  
20  
mA  
TJ = TJ max, rated VDRM/VRRM applied  
Triggering  
Parameter  
Maximum peak gate power  
PG(AV) Maximum average gate power  
IGM Max. peak positive gate current  
111RIA  
12  
Units Conditions  
PGM  
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
W
A
3.0  
TJ = TJ max, f = 50Hz, d% = 50  
3.0  
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
+VGM Maximum peak positive  
gate voltage  
20  
10  
V
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
-VGM  
Maximum peak negative  
gate voltage  
TYP.  
MAX.  
IGT  
DC gate current required  
to trigger  
180  
80  
40  
-
120  
-
TJ = - 40°C  
TJ = 25°C  
mA  
V
Max. required gate trigger/ cur-  
TJ = 140°C  
TJ = - 40°C  
TJ = 25°C  
TJ = 140°C  
rent/ voltage are the lowest value  
which will trigger all units 12V  
anode-to-cathode applied  
VGT  
DC gate voltage required  
to trigger  
2.5  
1.6  
1
-
2
-
Max. gate current/ voltage not to  
trigger is the max. value which  
will not trigger any unit with rated  
VDRM anode-to-cathode applied  
IGD  
DC gate current not to trigger  
DC gate voltage not to trigger  
6.0  
mA  
V
TJ = TJ max  
VGD  
0.25  
Thermal and Mechanical Specification  
Parameter  
Max. operatingtemperaturerange  
Max. storage temperature range  
111RIA  
-40 to 140  
-40 to 150  
Units Conditions  
°C  
TJ  
T
stg  
RthJC Max. thermal resistance,  
0.27  
DC operation  
K/W  
junction to case  
RthCS Max. thermal resistance,  
0.1  
Mounting surface, smooth, flat and greased  
Non lubricated threads  
case to heatsink  
T
Mountingtorque, ±10%  
15.5  
(137)  
14  
Nm  
(lbf-in)  
Lubricated threads  
SeeOutlineTable  
(120)  
130  
wt  
Approximate weight  
Case style  
g
TO-209AC(TO-94)  
www.irf.com  
3
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
111RK NAINA Phase Control Thyristors, 100A

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111RK100 INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 170000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E

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