Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 111MT140KBS90PBF

111MT140KBS90PBF

更新时间： 2024-01-16 11:25:45

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数	文件大小	规格书
9页	115K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 3 Element, INT-A-PAK-9

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111MT140KBS90PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数：	9	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.12
其他特性：	UL APPROVED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON ANODE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	JESD-609代码：	e2
元件数量：	3	端子数量：	9
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	断态重复峰值电压：	1400 V
重复峰值反向电压：	1400 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

111MT140KBS90PBF 数据手册

53-93-113MT..KB Series

Bulletin I27503 08/97

Blocking

53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB

Parameter

52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units Conditions

51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB

V_INSRMS isolation voltage

4000

T_J= 25^oC all terminal shorted

f = 50Hz, t = 1s

dv/dt Max. critical rate of rise

of off-state voltage (*)

500

V/µs T_J= T_Jmax., linear to 0.67 V_DRM

gate open circuit

(*) Available with dv/dt = 1000V/ms, to complete code add S90 i.e. 113MT160KBS90.

Triggering

53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB

Parameter

52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units Conditions

51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB

P_GMMax. peak gate power

T_J= T_Jmax.

P_G(AV)Max. average gate power

2.5

I_GM

Max. peak gate current

2.5

-V_GTMax. peak negative

gate voltage

V_GTMax. required DC gate

voltage to trigger

4.0

2.5

T_J=-40°C

T_J= 25°C Anodesupply=6V,resistiveload

1.7

T_J= 125°C

T_J=-40°C

I_GT

Max. required DC gate

current to trigger

270

150

mA T_J= 25°C Anodesupply=6V,resistiveload

T_J=125°C

V_GDMax. gate voltage

that will not trigger

0.25

@ T_J= T_Jmax., ratedV_DRMapplied

I_GD

Max. gate current

that will not trigger

Thermal and Mechanical Specifications

53MT.KB 93MT.KB 113MT.KB

Parameter

52MT.KB 92MT.KB 112MT.KB Units Conditions

51MT.KB 91MT.KB 111MT.KB

T_J

Max. junction operating

temperature range

-40 to 125

°C

T_stg

Max. storage temperature

range

-40 to 125

°C

R_thJCMax. thermal resistance,

junction to case

0.18

1.07

0.19

1.17

0.14

0.86

0.15

0.91

0.03

0.12

0.70

0.12

0.74

K/W DC operation per module

DC operation per junction

120° Rect condunction angle per module

120° Rect condunction angle per junction

R_thCSMax. thermal resistance,

case to heatsink

K/W Per module

Mounting surface smooth, flat an greased

A mounting compound is recommended and the

Mounting

to heatsink

to terminal

4 to 6

3 to 4

225

torque should be rechecked after a period of 3

hoursto allow for the spread of the compound.

torque ± 10%

Lubricatedthreads.

Approximate weight

www.irf.com

1 234 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
111MT140KPBF	VISHAY	Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A	获取价格
111MT140KS90PBF	VISHAY	Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A	获取价格
111MT160K	ETC	THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CA\|1.6KV V(RRM)\|110A I(T)	获取价格
111MT160KB	INFINEON	THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE	获取价格
111MT160KBPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
111MT160KBPBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 3 Element, INT-A-PAK-9	获取价格

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