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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 10TTS08SPBF
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10TTS08SPBF

更新时间： 2024-01-27 06:06:25
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威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
7页 125K
描述
Surface Mountable Phase Control SCR, 10 A

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10TTS08SPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SFM
包装说明：SMD-220, TO-220, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：10 A
重复峰值关态漏电流最大值：50 µA断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

10TTS08SPBF 数据手册

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10TTS08SPbF High Voltage Series  
Surface Mountable  
Phase Control SCR, 10 A  
Vishay High Power Products  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
6.5  
UNITS  
Maximum average on-state current  
Maximum RMS on-state current  
IT(AV)  
TC = 112 °C, 180° conduction half sine wave  
IT(RMS)  
10  
A
10 ms sine pulse, rated VRRM applied, TJ = 125 °C  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied, TJ = 125 °C  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied, TJ = 125 °C  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied, TJ = 125 °C  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied, TJ = 125 °C  
6.5 A, TJ = 25 °C  
120  
140  
72  
Maximum peak, one-cycle,  
non-repetitive surge current  
ITSM  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
100  
1000  
1.15  
17.3  
0.85  
0.05  
1.0  
Maximum I2√t for fusing  
Maximum on-state voltage drop  
On-state slope resistance  
Threshold voltage  
I2√t  
VTM  
rt  
A2√s  
V
mΩ  
V
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
VT(TO)  
Maximum reverse and direct leakage current  
IRM/IDM  
VR = Rated VRRM/VDRM  
TJ = 125 °C  
mA  
Typical holding current  
IH  
IL  
Anode supply = 6 V, resistive load, initial IT = 1 A  
Anode supply = 6 V, resistive load  
TJ = 25 °C  
30  
Maximum latching current  
50  
Maximum rate of rise of off-state voltage  
Maximum rate of rise of turned-on current  
dV/dt  
dI/dt  
150  
100  
V/µs  
A/µs  
TRIGGERING  
TEST CONDITIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
PGM  
VALUES  
8.0  
2.0  
1.5  
10  
UNITS  
Maximum peak gate power  
Maximum average gate power  
Maximum peak positive gate current  
Maximum peak negative gate voltage  
W
PG(AV)  
+IGM  
A
V
-VGM  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 65 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 65 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C  
Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C  
20  
Maximum required DC gate current to trigger  
IGT  
15  
mA  
10  
1.2  
1
Maximum required DC gate  
voltage to trigger  
VGT  
V
0.7  
0.2  
0.1  
VGD  
IGD  
Maximum DC gate voltage not to trigger  
Maximum DC gate current not to trigger  
TJ = 125 °C, VDRM = Rated value  
mA  
SWITCHING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Typical turn-on time  
Typical reverse recovery time  
Typical turn-off time  
tgt  
trr  
tq  
TJ = 25 °C  
0.8  
3
µs  
TJ = 125 °C  
100  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
Document Number: 94562  
Revision: 24-Apr-08  
1234567

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