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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 10RIA100MPBF
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10RIA100MPBF

更新时间： 2024-02-03 07:10:44
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, 2 PIN

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10RIA100MPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-48
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：300 V/us最大直流栅极触发电流：60 mA
最大直流栅极触发电压：2 VJEDEC-95代码：TO-208AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
断态重复峰值电压：1000 V重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

10RIA100MPBF 数据手册

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10RIA Series  
Bulletin I2405 rev. A 07/00  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VDRM/VRRM, max. repetitive  
VRSM , maximum non-  
IDRM/IRRM max.  
Type number  
10RIA  
peak and off-state voltage (1)  
repetitive peak voltage (2)  
@ T = TJ max.  
V
100  
200  
400  
600  
V
150  
300  
500  
700  
J mA  
10  
20  
40  
60  
80  
20  
10  
800  
900  
100  
120  
1000  
1200  
1100  
1300  
(1) Units may be broken over non-repetitively in the off-state direction without damage, if dI/dt does not exceed 20A/µs  
(2) For voltage pulses with tp ≤ 5ms  
On-state Conduction  
Parameter  
10RIA  
Units Conditions  
IT(AV) Max. average on-state current  
@ Case temperature  
10  
85  
25  
A
°C  
A
180° conduction, half sine wave  
IT(RMS) Max. RMS on-state current  
ITSM  
Max. peak, one-cycle  
225  
240  
190  
200  
255  
233  
180  
165  
2550  
1.10  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
No voltage  
reapplied  
non-repetitive surge current  
A
100% VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
No voltage  
reapplied  
A2s  
100% VRRM  
reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
A2√s  
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VT(TO)1 Low level value of threshold  
voltage  
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
V
VT(TO) High level value of threshold  
1.39  
24.3  
16.7  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
2
voltage  
rt1  
Low level value of on-state  
slope resistance  
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
mΩ  
rt2  
High level value of on-state  
slope resistance  
VTM  
IH  
Max. on-state voltage  
Maximum holding current  
Typical latching current  
1.75  
130  
200  
V
I = 32A, TJ = 25°C t = 10ms sine pulse  
pk p  
mA  
TJ = 25°C, anode supply 12V resistive load  
IL  
www.irf.com  
2
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