Datasheet > 10M25SCE144C8G

10M25SCE144C8G

更新时间： 2024-01-06 02:12:17

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		时钟栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
68页	976K
描述
Field Programmable Gate Array, 25000-Cell, CMOS, PQFP144, 22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, EQFP-144

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

10M25SCE144C8G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HLFQFP, QFP144,.87SQ,20	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.58
其他特性：	OPERATES AT 3.3V NOMINAL VCC	最大时钟频率：	402 MHz
JESD-30 代码：	S-PQFP-G144	JESD-609代码：	e3
长度：	20 mm	湿度敏感等级：	3
可配置逻辑块数量：	1563	输入次数：	101
逻辑单元数量：	25000	输出次数：	101
端子数量：	144	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	1563 CLBS
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HLFQFP
封装等效代码：	QFP144,.87SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/3.3 V	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.65 mm
子类别：	Field Programmable Gate Arrays	最大供电电压：	3.15 V
最小供电电压：	2.85 V	标称供电电压：	3 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	20 mm
Base Number Matches：	1

10M25SCE144C8G 数据手册

M10-DATASHEET

2015.05.04

Programming/Erasure Specifications

Symbol

Parameter

Condition

—

Min

Max

V_CCIO

Unit

V_O

T_J

Output voltage for I/O pins

Commercial

Industrial

Automotive

Standard POR⁽⁶⁾

Fast POR ⁽⁷⁾

Instant-on

—

°C

—

Operating junction temperature

–40

200 μs

—

100

125

50 ms

3 ms

t_RAMP

Power supply ramp time

—

I_Diode

Magnitude of DC current across PCI clamp

diode when enabled

Programming/Erasure Specifications

Table 9: Programming/Erasure Specifications for MAX 10 Devices—Preliminary

This table shows the programming cycles and data retention duration of the user flash memory (UFM) and configuration flash memory (CFM) blocks.

Erase and reprogram cycles (E/P) ⁽⁸⁾(Cycles/page)

Temperature (°C)

Data retention duration (Years)

10,000

100

DC Characteristics

I/O Pin Leakage Current

The values in the table are specified for normal device operation. The values vary during device power-up. This applies for all V_CCIOsettings (3.3,

3.0, 2.5, 1.8, 1.5, 1.35, and 1.2 V).

(6)

(7)

(8)

Each individual power supply should reach the recommended operating range within 50 ms.

Each individual power supply should reach the recommended operating range within 3 ms.

The number of E/P cycles applies to the smallest possible flash block that can be erased or programmed in each MAX 10 device. Each MAX 10 device

has multiple flash pages per device.

MAX 10 FPGA Device Datasheet

Send Feedback

Altera Corporation

1...3 4 567 8 9...68

下载PDF

与10M25SCE144C8G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
10M25SCE144I6	INTEL	Field Programmable Gate Array, PQFP144, 22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, EQFP-144	获取价格
10M25SCE144I7G	INTEL	Field Programmable Gate Array, 25000-Cell, CMOS, PQFP144, 22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS	获取价格
10M25SFE144A7G	INTEL	Field Programmable Gate Array, PQFP144, 22 X 22 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC	获取价格
10M2B2	SEIKO	1 FUNCTIONS, 10.7 MHz, 7.5 kHz BW(delta f), CRYSTAL FILTER, CASE HC-49/U, 3 PIN	获取价格
10M30A	VANLONG	Monolithic Crystal Filters (MCFs)	获取价格
10M30A	RALTRON	Crystal Filter, 1 Function(s), 10.7MHz, 15kHz BW(delta f), Monolithic, A-3, 3 PIN	获取价格

与10M25SCE144C8G相关文章

深入解析AD7606高性能多通道模数转换器：资料手册参数分析
2024-05-10

4
74HC573三态非易失锁存器(Latch)资料手册参数分析
2024-05-10

3
MAX3232 RS-232电平转换器资料手册参数分析
2024-05-10

4
MAX485 RS-485/RS-422收发器资料手册参数分析
2024-05-10

4

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

10M25SCE144C8G

10M25SCE144C8G 技术参数

10M25SCE144C8G 数据手册

与10M25SCE144C8G相关器件

与10M25SCE144C8G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

10M25SCE144C8G

10M25SCE144C8G 技术参数

10M25SCE144C8G 数据手册

与10M25SCE144C8G相关器件

与10M25SCE144C8G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？