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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 10EZ22
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10EZ22

更新时间： 2024-02-05 20:39:58
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试局域网
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Silicon 10 WATT Zener Diodes

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10EZ22 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.92外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：10 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：22 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：10%工作测试电流：115 mA
Base Number Matches：1

10EZ22 数据手册

 浏览型号10EZ22的Datasheet PDF文件第1页 
Microsemi  
Part  
Number  
Nominal  
Zener  
Voltage VZ  
@ IZT Volts  
(Note 2)  
Zener Test  
Current  
(IZT)  
Max. Dynamic  
Impedance  
(Note 3)  
Max DC  
Zener  
Current  
Typical  
Temperature  
Coefficient a VZ  
%/°C  
Max** Leakage  
Current  
IR  
@
VR  
mA  
ZZT @ IZT  
OCHMS  
ZZK @ 1mA (IZK) (IZM) @ 75°C  
mA  
Volts  
OHMS  
Base Temp.  
(Note 4)  
mA  
10EZ3.9  
10EZ4.3  
10EZ4.7  
10EZ5.1  
10EZ5.6  
10EZ6.2  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
640  
580  
530  
490  
445  
405  
2.0  
1.5  
1.2  
1.1  
1.0  
1.1  
400  
400  
500  
550  
600  
750  
2380  
2130  
1940  
1780  
1620  
1460  
100  
100  
80  
10  
10  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
¾ .046  
¾ .033  
¾ .015  
±.010  
+.030  
+.049  
.040  
.045  
.048  
.051  
.055  
.060  
.065  
.065  
.070  
.070  
.070  
.075  
.075  
.075  
.075  
.080  
.080  
.080  
.085  
.085  
.085  
.085  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
.090  
10  
10EZ6.8  
10EZ7.5  
10EZ8.2  
10EZ9.1  
10EZ10  
10EZ11  
10EZ12  
10EZ13  
10EZ14  
10EZ15  
10EZ16  
10EZ17  
10EZ18  
10EZ19  
10EZ20  
10EZ22  
10EZ24  
10EZ25  
10EZ27  
10EZ30  
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10EZ68  
10EZ75  
10EZ82  
10EZ91  
10EZ100  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
22  
24  
25  
27  
30  
33  
36  
39  
43  
45  
47  
50  
51  
52  
56  
62  
68  
75  
82  
91  
100  
370  
335  
305  
275  
250  
230  
210  
190  
180  
170  
155  
145  
140  
130  
125  
115  
105  
100  
95  
85  
75  
70  
65  
60  
55  
55  
50  
1.2  
1.3  
1.5  
2.0  
3
3
3
3
3
3
4
4
4
4
4
5
5
6
7
500  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
250  
300  
300  
300  
300  
400  
400  
400  
500  
500  
500  
500  
600  
600  
600  
700  
800  
900  
1320  
1180  
1040  
960  
860  
780  
720  
660  
600  
560  
530  
500  
460  
440  
420  
380  
350  
310  
300  
280  
260  
230  
210  
195  
185  
175  
165  
160  
160  
150  
130  
120  
110  
100  
85  
150  
100  
50  
25  
25  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5.2  
5.7  
5.2  
6.9  
7.6  
8.4  
9.1  
9.9  
10.5  
11.4  
12.2  
13.0  
13.7  
14.0  
15.2  
16.7  
18.2  
18.2  
20.6  
22.8  
25.1  
27.4  
29.7  
32.7  
33.0  
35.8  
36.0  
38.8  
39.0  
42.6  
47.1  
51.7  
56.0  
62.2  
69.2  
76.0  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
15  
15  
16  
17  
18  
22  
25  
35  
40  
50  
50  
45  
40  
37  
33  
30  
28  
25  
80  
NOTE 1. 10EZ3.9 – 10EZ100A series: suffix A indicates ± 5% tolerance, no suffix indicates ± 10% tolerance. If  
tighter tolerance is required, consult factory.  
NOTE 2. The electrical characteristics are measured after allowing the device to stabilize for 90 seconds with  
30°C base temperature. Voltage change with other current values are described in Micronote 202.  
NOTE 3. The zener impedence (ZZT) is derived from the 60 Hz ac voltage, which results when an ac current  
having an rms value equal to 10% of the dc zener current (IZT or IZK) is superimposed on IZT or IZK. Dynamic  
impedance variations with other current values are described in Micronote 202.  
NOTE 4. These values of IZM may be exceeded in the case of individual diodes. The values shown are  
calculated for the worst case which is at the high voltage end of its tolerance range (for ± 5%). Allowance has  
also been made for the rise in zener voltage above Vzt, which results from zener impedance and the increase in  
junction temperature as power dissipation approaches 10 watts.  
Datasheet# MSC0324A Date:04/30/99  
12

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