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10ETS12PBF

更新时间: 2024-02-12 04:53:24
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管输入元件高压局域网高压大电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 165K
描述
INPUT RECTIFIER DIODE Lead-Free ("PbF" suffix)

10ETS12PBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-263包装说明:SMD-220, D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.23
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

10ETS12PBF 数据手册

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10ETS12PbF SAFEIR Series  
Bulletin I2191 12/04  
100  
T = 25°C  
J
T = 150°C  
J
10  
10ETS.. Series  
1
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
InstantaneousForward Voltage (V)  
Fig. 8-ForwardVoltageDropCharacteristics  
10  
1
D = 0.50  
D = 0.33  
D = 0.25  
D = 0.17  
D = 0.08  
Steady State Value  
(DC Operation)  
10ETS.. Series  
1
Single Pulse  
0.1  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
10  
Square Wave Pulse Duration (s)  
Fig. 9-ThermalImpedanceZthJC Characteristics  
4
www.irf.com  

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