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10ETF12S

更新时间: 2024-02-28 16:00:41
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管高功率电源快速软恢复高电源软恢复二极管快速软恢复二极管
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8页 133K
描述
FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

10ETF12S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AC包装说明:R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.29其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.33 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:185 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向恢复时间:0.31 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

10ETF12S 数据手册

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10ETF..S QUIETIR Series  
I2140 rev. A 12/99  
Voltage Ratings  
VRRM , maximum  
peak reverse voltage  
V
VRSM , maximum non repetitive  
IRRM  
150°C  
mA  
peak reverse voltage  
V
Part Number  
10ETF02S  
10ETF04S  
10ETF06S  
200  
400  
600  
300  
500  
700  
2
Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
10ETF..S Units  
Conditions  
IF(AV) Max.AverageForwardCurrent  
10  
A
@TC=128°C,180°conductionhalfsinewave  
IFSM Max.PeakOneCycleNon-Repetitive  
SurgeCurrent  
150  
160  
10msSinepulse,ratedVRRMapplied  
10msSine pulse,novoltagereapplied  
10msSinepulse,ratedVRRMapplied  
10msSinepulse,novoltagereapplied  
t=0.1to10ms,novoltagereapplied  
A
I2t  
Max. I2tforfusing  
112.5  
160  
A2s  
I2t Max.I2tforfusing  
1125  
A2s  
Electrical Specifications  
Parameters  
10ETF..S Units  
Conditions  
VFM Max. Forward Voltage Drop  
1.2  
12.7  
1.25  
0.1  
V
mΩ  
V
@ 10A, TJ = 25°C  
rt  
Forward slope resistance  
TJ = 150°C  
VF(TO) Threshold voltage  
IRM Max. Reverse Leakage Current  
TJ = 25 °C  
mA  
VR = rated VRRM  
TJ = 150 °C  
2.0  
Recovery Characteristics  
Parameters  
10ETF..S Units  
Conditions  
IF @ 10Apk  
@ 25A/ µs  
trr  
Irr  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Current  
Reverse Recovery Charge  
Snap Factor  
145  
2.75  
0.32  
0.6  
ns  
A
Qrr  
S
µC  
@ 25°C  
2
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